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填補國內(nèi)空白!研微半導(dǎo)體首臺設(shè)備交付大客戶!

2024

11/24

05:53

來源

無錫日報

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  錫企成功填補國內(nèi)半導(dǎo)體裝備金屬原子層沉積領(lǐng)域的空白。11月22日上午,就在研微半導(dǎo)體落戶無錫經(jīng)開區(qū)兩周年之際,該企業(yè)自主研發(fā)的首臺國內(nèi)先進(jìn)納米制程原子層沉積設(shè)備發(fā)車出廠,交付國內(nèi)頭部客戶。

  研微公司的創(chuàng)始人、CEO林興博士介紹,這臺300mm半導(dǎo)體設(shè)備針對芯片中高深寬比結(jié)構(gòu)的臺階覆蓋不良等問題,可以提供優(yōu)異的沉積均勻性和一致性,在精度、效率及穩(wěn)定性等方面實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。

  不僅如此,該設(shè)備還能夠有效應(yīng)對半導(dǎo)體邏輯芯片向5nm及更先進(jìn)制程推進(jìn)和線寬縮小所帶來的電阻率上升問題,用先進(jìn)ALD的方法沉積新一代金屬材料,一舉解決這一長期困擾行業(yè)發(fā)展的難題。“待批量化生產(chǎn)后,具有較高性價比優(yōu)勢。”研微相關(guān)負(fù)責(zé)人表示。

  目前,研微已有多款原子層沉積設(shè)備產(chǎn)品完成樣片檢測,正逐步進(jìn)入客戶工廠進(jìn)行驗證生產(chǎn)。值得一提的是,研微研發(fā)的High-K材料的原子層設(shè)備采用全球首創(chuàng)的雙腔架構(gòu),在同樣占地面積的情況下實現(xiàn)了產(chǎn)能提升近兩倍。綜合性能、價格等因素,與同類產(chǎn)品相比,這款產(chǎn)品可降低用戶綜合使用成本30%—40%。

  研微半導(dǎo)體作為經(jīng)開區(qū)集成電路裝備領(lǐng)域的代表企業(yè),致力于半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新。從單項技術(shù)突破到產(chǎn)品線多元化發(fā)展,企業(yè)已擁有國內(nèi)最全且最先進(jìn)的ALD設(shè)備技術(shù)和外延設(shè)備技術(shù),成功開發(fā)出多款整機設(shè)備,成為高端半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒。

  “企業(yè)在這里能放心投資、省心辦事、順心生活。”林興感慨。經(jīng)開區(qū)不僅為其爭取了超5000萬元的“耐心資本”支持,還協(xié)助對接了東南大學(xué)集成電路學(xué)院等優(yōu)質(zhì)科研資源,搭建產(chǎn)學(xué)研合作平臺,全方位支持企業(yè)做大做強,同時,經(jīng)開區(qū)還通過優(yōu)化營商環(huán)境、完善基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等措施,為企業(yè)發(fā)展提供有力保障。目前企業(yè)員工人數(shù)達(dá)150人,吸引近10位海歸博士全職加入,其中1人入選國家人才計劃、3人入選太湖人才計劃。

  經(jīng)開區(qū)負(fù)責(zé)人表示,經(jīng)開區(qū)將一如既往地為企業(yè)提供全天候、全流程、全方位服務(wù),打造“成本最低、信譽最好、效率最快、回報最高”的投資福地。

  集成電路作為無錫歷史悠久的“王牌產(chǎn)業(yè)”,也是經(jīng)開區(qū)“4+3+X”現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)中的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)重點布局。目前,經(jīng)開區(qū)以太湖灣信息園為核心承載區(qū),精準(zhǔn)聚焦集成電路設(shè)計、裝備及核心零部件賽道,推動優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)項目落地生根,現(xiàn)已集聚生態(tài)圈企業(yè)近60家。

 ?。ㄐ炀ぽx、陸飛宇)

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